HTS開(kāi)關(guān)連接方法

HTS開(kāi)關(guān)由大量并聯(lián)開(kāi)關(guān)組成MOSFET它們結(jié)合在緊湊、低電感的組中。與所謂的雪崩晶體管開(kāi)關(guān)不同，HTS開(kāi)關(guān)的MOSFET它不是在擊穿狀態(tài)下工作，而是通過(guò)控制其網(wǎng)極來(lái)產(chǎn)生高可靠性和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能。每個(gè)電路都有一個(gè)特殊的驅(qū)動(dòng)電路MOSFET同步控制，低阻抗。納秒轉(zhuǎn)換時(shí)間可與低電感連接技術(shù)相結(jié)合。

控制電路與負(fù)載電路之間的電流隔離允許設(shè)備作為高邊開(kāi)關(guān)。

只有一個(gè)輸入側(cè)TTL兼容控制信號(hào)和5伏輔助電壓。內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電路負(fù)責(zé)信號(hào)調(diào)節(jié)、輔助電壓監(jiān)測(cè)、頻率限制和溫度保護(hù))。HTS開(kāi)關(guān)可提供固定或可變?cè)褦?shù)-ondurations.Numous該模型涵蓋了廣泛的電壓和電流。

控制輸入具有致密觸發(fā)特性，開(kāi)關(guān)閾值約為2伏，受20伏保護(hù)。建議使用3-10伏的信號(hào)范圍，以獲得良好的信噪比。如果使用長(zhǎng)信號(hào)線(xiàn)，終端電阻應(yīng)提供相應(yīng)的電路阻抗（如50歐姆），以避免反射。

由于高壓部件與控制部件之間不可避免的耦合電容，特別是當(dāng)發(fā)生器阻抗相對(duì)較高時(shí)，控制信號(hào)在快速電路中可能出現(xiàn)短的正負(fù)峰值。HTS開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)方法是控制電子設(shè)備忽視快速高壓邊緣造成的臨時(shí)干擾。