Catalog C4-低電阻型

采用TrenchFET MOSFET技術，使C4開關導通時的電阻極低，能量損耗小。C4開關的切換速度比典型的功率FET開關略低，但比IGBT開關的速度要高的多；相對于IGBT開關的負溫度系數，C4開關的正溫度系數，有助于實現短路保護的設計；另外，過壓暫態(tài)和反向電壓電流方面，C4開關的危險性也小于IGBT開關，所以，C4開關非常適合于替代IGBT開關，即使在糟糕的環(huán)境下也能保證操作的安全性。